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Vishay Siliconix SIHA24N65EF-GE3
| Artikelnummer: | SIHA24N65EF-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL 650V |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $5.361 |
| 100+ | $4.3924 |
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Vishay Siliconix SIHA24N65EF-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIHA24N65EF-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220 Full Pack Serie E Rds On (Max) @ Id, Vgs 156mOhm @ 12A, 10V Verlustleistung (max) 39W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2774 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) -
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